사이리스터 반도체 소자
Metal inclosure material, 92.0 millimeters nominal overall length, unthreaded hole mounting method, 400.0 maximum repetitive peak reverse voltage and 400.0 maximum repetitive peak off-state voltage voltage rating in volts per characteristic, 3 screw terminal type and quantity
DAC | HCC | DMIL | RNCC |
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4 | - | - | 3 |
RNVC | SADC | MSDS | RNAAC |
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2 | - | - | ZZ |
3개 이상의 접합으로 구성된 쌍안정 반도체 장치로, 게이트 단자에 신호를 인가할 때까지 일반적으로 부도체이며, 이때 장치는 전도성 상태로 전환됩니다. 동일한 게이트 단자 또는 다른 게이트 단자에 다른 신호를 인가할 때 비전도성 상태로 다시 전환될 수 있는 장치를 포함합니다. 장착 하드웨어 및/또는 방열판이 포함되거나 포함되지 않을 수 있습니다. 가시광선 또는 적외선 복사 에너지에 반응하는 솔리드 스테이트 장치에 대해서는 반도체 장치, 사진을 참조하십시오.
INC | FIIG | Concept | Condition |
---|---|---|---|
33096 | A110A0 | 1 | 1 |
세부 정보
inclosure가 제조되는 성분, 화합물, 또는 혼합물, 어떤 지상 처리든지 제외하고. 이 단종된 MRC 대신 MRC CQSJ를 사용하십시오.세부 정보
항목의 맨 끝에 종결점이 있는 세로 축을 따라 측정된 치수입니다.세부 정보
항목을 부착하는 수단입니다.세부 정보
적용될 수 있는 전압의 값, 볼트로 표시, 특정 전기적 특성을 식별하는 데 사용되는 기호.세부 정보
전기 연결을 제공하기 위한 단자의 유형과 수를 나타냅니다.HMIC | PMIC | ESD/EMI | Criticality |
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N | A | A | - |
UFC | HMC | LTL | LCL |
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- | - | - | - |
RVC | WCC | TCC | SHC |
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